功能描述：TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：停产

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 29A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 14mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1700pF @ 40V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

标准包装：1

EPC2022ENG

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